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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。伏安法测量电阻的方法将待测电阻接上直流电源，然后用电压表和电流表分别测量电阻两端的电压和通过电阻的电流，再根据欧姆定律计算出被测电阻。因为测量过程中需要借助电压表和电流表，伏安法是一种间接测量电阻的方法。我们知道，电压表常常并联与电路中使用，电流表常常串联在电路中使用，都是可以带电操作的，故伏安法可以带电进行电阻的测量。伏安法测量电阻的接线方式1）电压表前接电路：适用待测电阻很大（远大于电流表内阻）的情况。其他回路电路从楼下地板埋管铺设。“上下结合”科学灵活地设计为农村别墅水电垫下了一个良好基础。弱电设计：在有线、光纤、网络的基础上，增加考虑加上家庭火报烟感系统的弱电回路，和 泄漏报。毕竟消防安全大于天。预防为主,防范于未然。二：预埋施工程序：1: ：用十字交叉法和对半取中心法画墨线后再订底盒。按照图纸什么地方用一叉，二叉，三叉，四叉一一订紧底盒，在每个底盒里面放泡沫用胶布封闭，预防水泥浆堵塞。显然，过程映像区并不能涵盖整个CPU的输入/输出地址区域。当我们要访问的I/O地址超出了过程映像区的范围，就必须使用外设寻址了。CPU315-2DP的技术数据（节选）对于400的CPU而言，以CPU-4162DP为例（如所示），输入/输出均16KB，过程映像区默认为512个字节，但可调整为16KB。当访问地址超出了默认的过程映像区范围时，我们就要以下选择了：或者修改过程映像区的大小或者采用外设寻址CPU416-2DP的技术数据（节选）输入/输出模块地址未分配给过程映像区特别是对于S7-400系列CPU而言，要想使用过程映像区，需给输入/输出模块地址分配过程映像，OB1-PI或者P 2：过程映像区的分类及其更新机制》一文）。