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学习使用万用表测电阻是很多大学新生的入学课，也是物理电子爱好者们的起步基础。在使用万用表进行测电阻的过程中，对于新手而言，也常常会出现这样或那样的问题，很容易造成一些不必要的麻烦。今天小编总结了四个万用表测电阻操作过程中常见的问题并进行了解读，希望能够对大家的操作和学习有所帮助。常见问题一：在使用表测量电阻时应该怎样调零?在进行万用表测电阻时，对万用表的调零工作是必不可少的，需要工程师们多加注意。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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质量和信誉是我们存在的基石。我们注重客户提出的每个要求，充分考虑每一个细节，积极的好服务，电缆电线、外力损伤。由近几年的运行分析来看，尤其是在经济高速发展中的海浦东，现相当多的电缆故障都是由于机械损伤引起的。比如：电缆敷设时不规范施工，容易造成机械损伤；在直埋电缆上搞土建施工也极易将运行中的电缆损伤等。有时如果损伤不严重，要几个月甚至几年才会导致损伤部位击穿形成故障，有时破坏严重的可能发生短路故障，直接影响电『舣J和用电单位的安全生产。绝缘受潮。这种情况也很常见，一般发生在直埋或排管里的电缆接头处。比如：电缆接头不合格和在潮湿的气候条件下接头，会使接头进水或混入水蒸气，时间久而在电场作用下形成水树枝。

个导磁体夹着1个永磁体，转子的齿位置互相相差1/2齿节距。转子的磁通从N极出发，经过气隙处（定转子齿相对的地方）到定子磁路，再返回转子的S极，磁路如箭头所示。上图左侧的转子上部，右侧的转子下部产生吸引力，轴两侧产生力矩（此力是不平衡电磁力），转子的旋转受定子激磁线圈切换产生旋转力。轴承的间隙会很容易产生振动。实际上定子主极为8个极，转子齿数为偶数，目的是消除此不平衡电磁力。实际上与2个转子齿部相对的定子,在轴向上并非是分成两个，而是采用硅钢片叠压而成一体。下图的拨码关将显示的数字转换为4位二进制数。plc用12个数字量输入点 01001，即十六进制数16#829。BCD码没有单独的表示方法，而是借用了十六进制的表示方法， BCD码和整数的相互转换指令，可以看到在指令中BCD码均用十六进制的形式表示。在程序中，怎么知道一个数字是BCD码还是十六进制数呢？1）看数据的来源和用途。Datacontrols的主要功能是把以上剩余的控件与S7系列PLC相连接、设置事件触发条件以及设定S7系列PLC地址等。而Editcontrols、Buttoncontrols、Labelcontrols、Slidercontrol可以与S7-200系列PLC存储资源直接对应。第三方软件可以直接调用上列控件对PLC进行监控，也可以通过函数对S7系列PLC进行读写操作。WinAC支持SIMATICComputing的原有应用，但以后不会发新的SIMATICComputing版本，SIMATICComputing的 终版本为V3.1SP2对过程数据的存取采用以下几种方式：1用户可以通过标准ActiveX控件OCX存取过程数据2用户可以使用DCOMMicrosoft分布式组件模式集成网络上分布式的应用程序分布式的应用由多个程序和不同的计算机协作完成一个统一的任务3允许任何符合OPC用于过程控制的OLE客户机标准的应用软件通过WinAC内置的OPC服务器访问控制设备中的数据1.3OPCserverOPC服务器随SIMATICNET软件光盘,SIMATICNET是西门子在工业控制层面上给您的一个放的，多元的通讯系统。在相同一次额定电流、相同额定输出容量的情况下，电流互感器二次电流采用1A或5A，其结构和特性有较大的不同。采用1A比采用5A，其结构和特性有较大的不同。采用1A比采用5A的电流互感器匝数比大5倍，二次绕组匝数大5倍，路电压高，内阻大，励磁电流小，的难度大，价格略高。但采用1A可以大幅度降低电缆中的有功损耗(降低到采用5A的1/25)，在相同条件下，可增加电流回路电缆的允许长度。电流互感器的二次额定电流采用1A或是5A，需经技术经济比较确定。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。